工学部／電気学科
光機能性膜作製・評価設備（薄膜作製装置、RHEED装置含む）一式
| 設備名 | 光機能性膜作製・評価設備（薄膜作製装置、RHEED装置含む）一式 |
|---|---|
| メーカー名 | 日本真空技術 株式会社 |
| 型式 | MCS-1000 |
| 仕様・性能 | ターボ分子ポンプ排気速度：1300L/s 真空度：10のマイナス8乗Pa 許容雰囲気温度：0-40度 RHEED装備、UV/Vis装備、水晶振動式成膜コントローラ装備 |
| 用途 | 分子線エピタキシ(MBE:molecu1ar beam epitaxy)法は、薄膜形成、ナノ構造作成においてきわめて汎用性の高い技術である。現在半導体デバイスプロセスで一般的に用いられている液相成長法、化学分解を利用した気相成長法などに比べて新しい薄膜成長法である。MBE法は物理的気相法(PVD：Physical vapor deposition）の代表的なエピタキシャル成長法で、通常の蒸着法に比べて超高真空中で極めて高精度かつ安定に、蒸気フラックスや基板温度が制御可能である。PVD法に高品質エピタキシャル膜をもたらしたMBE法は革新的であり、その波及効果は大きい。最近では、MBE法ならびにその周辺技術の向上とともに、液相成長法で作った薄膜と同程度、あるいはそれ以上の品質の薄膜が得られるようになった。さらに、従来の薄膜成長法では得られない膜厚の制御性の良さなどのため、新しい電子あるいは光デバイス用薄膜の実現が可能になった。 |
| 特徴 | MBE装置の特徴は、 1, 到達圧力が超高真空であるため、残留ガスからの不純物混入が少ない。 2, 残留ガスが少ないため、成長速度を遅くすることが出来る。 3, 成長速度が遅いので低温成長が可能である。 4, 原料供給を制御することにより、原子層レベルの結晶制御が可能である。 |
| 利用上のメリット | nm オーダーの膜厚が制御可能、異種多層膜の作成可能。 |
| 購入年度 | 平成13年3月 |
| 担当部署 | 工学部／電気学科 |
| 担当者 | 落合 鎮康 |
| 連絡先 電話 | 0565-48-8121（ex.2001) |
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