澤木宜彦

１．化合物半導体ナノ構造の電子光学効果の研究：　化合物半導体はヘテロ構造の構成が容易で様々な量子効果デバイスの作製が可能です。この特長を使った立体結合量子構造は高度な情報処理デバイスへの応用が期待されます。省エネルギー形の次世代情報処理デバイスの可能性を探るため、結合ドット構造の電子状態の変化、乱雑に結合したネットワークの光伝導特性を明らかにします。 ２．窒化物半導体に関する研究：　青色発光ダイオードに代表されるGaN系半導体は、電力素子用材料の分野でも大きな期待が寄せられています。一方シリコン（Si)には高度な微細加工技術が整っています。この特長を使うと、加工したSi基板上にナノ構造や結晶軸が傾いたGaNの作製が可能です。このようにして作製したGaNへの不純物添加特性やGaN/Si界面の構造と結晶欠陥導入の様子を明らかにし、レーザダイオード、電力用デバイス、室温動作量子効果デバイスへの適用を探ります。